CMP(化学的機械研磨)

CMP(化学機械研磨)
  • CMP(化学機械研磨)

    • 金属のCMP

    • 絶縁体のCMP(ポリイミドおよびその他のポリマー層を含む)

  • 最大12インチウェーハのCMP

  • ウェーハ薄膜化

  • ウェーハ研磨

  • ボンディング前CMP

  • 光学グレード研磨

  • Cu(ダマシンプロセス用CMP)、Siウェーハ研磨スラリー、SiC研磨スラリーなど、さまざまなCMPプロセスに対応するカスタムスラリー

  • 銅(Cu)RDLのCMP

アプリケーション:パワーデバイス、ICの高密度実装、MEMSなど

ウェーハ研削

ウェーハ研削
  • 4インチから12インチまで対応

  • 50umの厚さまで研削

  • TSV露出のための裏面研削

  • SOI、SiC、サファイア、ガラス、MEMSウェーハなどの研削・研磨

  • InP、GaAs、GaNなどの化合物半導体ウェーハの研削

  • SAWアプリケーション向けタンタル酸リチウム(LiTaO3)の研削および研磨

  • ウェーハ表面アナライザーによる検査