CMP（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械的研磨）

• CMP（化学機械研磨）

  • 金属のCMP

  • 絶縁体（ポリイミドなどの高分子層を含む）のCMP

• 12インチウェーハまでのCMP

• ウェーハ薄片化

• ウェハー研磨

• プリボンディングCMP

• 光学グレードの研磨

• CuのCMP（ダマシンプロセス）、Siウェーハの研磨スラリー、SiCの研磨スラリーなど、各種CMPプロセス用カスタムスラリー。

• 銅（Cu）RDL上のCMP

用途パワーデバイス、ICの高密度実装、MEMSなど。

ウェーハ研削

• 4インチから12インチまで

• 50μmの厚さに研磨する

• TSV露出のための裏面研削

• SOI、SiC、サファイア、ガラス、MEMSウェーハなどの研削・研磨。

• InP、GaAs、GaNなどの化合物半導体ウェーハの研削加工。

• SAW用タンタル酸リチウム（LiTaO3）の研削・研磨について

• ウェーハ表面分析装置による検査