パッケージング・組立

多様なニーズに対応するため、さまざまなパッケージングおよびアセンブリソリューションをご用意しています。

  • ウェーハバックグラインド

  • ウェーハダイシング

  • ダイボンディング

    • ペースト材料：エポキシシリコン

  • ワイヤーボンディング

    • ワイヤー材料：Au、Al、Cu（18～500um）

  • フリップチップボンディング

    • バンプ形成：電解メッキ/無電解メッキ

    • NiSn、NiAu、AuSn、NiPd、SnAg

  • BEOL（バックエンドオブライン）プロセス

    • 誘電体成長

    • 誘電体トレンチエッチング

    • 埋め込み銅電解メッキ

    • Cu CMP（研磨）

  • 3D/2.5D IC集積向けパッケージング 

    • アドバンストパッケージング向けTSV作製

    • TSV（シリコン貫通ビア）/ TGV（ガラス貫通ビア）インターポーザー製造/ポリイミドフィルムインターポーザー

    • RDL（再配線層）の作製

      • パッシベーション層にポリマーを用いたRDL作製

      • BCB、PBO、ポリアミド、アクリルなどをパッシベーション層として使用

      • CuダマシンプロセスによるRDL作製：シングルおよびダブルダマシンプロセス

    • TSV露出

    • UBM（アンダーバンプメタライゼーション）

      • 無電解ニッケルメッキ（ENP）

      • 無電解ニッケル置換金めっき（ENIG）

      • 無電解ニッケルパラジウム金めっき（ENEPIG）

      • Ti/Cu/Ni

      • Cuめっき

    • C4バンプ

    • Cuポスト/ピラーはんだ/ CuSnピラー/ AuSn/ SnAg

パッケージング・組立