パッケージング・組立

多様なニーズに対応するため、さまざまな包装・組立ソリューションを提供しています。

  • ウェーハバックグラインド

  • ウェーハダイシング

  • ダイボンディング

    • ペーストの材質。エポキシシリコン

  • ワイヤボンディング

    • ワイヤの材質Au、Al、Cu（18〜500μm）

  • フリップチップボンディング

    • バンプ形成：電気メッキ/無電解メッキ

    • NiSn、NiAu、AuSn、NiPd、SnAg

  • BEOL（Back End of Line）プロセス

    • 誘電体成長

    • 誘電体トレンチエッチング

    • 埋設銅メッキ

    • Cu CMP（ポリッシング）

  • 3次元/2.5次元IC集積に対応したパッケージング 

    • アドバンスドパッケージング向けTSVファブリケーション

    • TSV (Through Silicon Via )/ TGV (Through Glass Via) インターポーザー製作/ ポリイミドフィルムインターポーザー

    • RDL（再配布レイヤー）ファブリケーション

      • ポリマーをパッシベーション層とするRDL製造技術

      • パッシベーション層としてBCB、PBO、ポリアミド、アクリルなど

      • CuダマシンプロセスによるRDL製作。シングル＆ダブルダマシンプロセス

    • TSV 発表

    • UBM (Under Bump Metallization)の略。

      • 無電解ニッケルめっき(ENP)

      • 無電解ニッケル無電解金（ENIG)

      • 無電解ニッケルパラジウム金メッキ層（ENEPIG)

      • Ti/ Cu/Ni

      • メッキCu

    • C4 バンピング

    • Cuポスト/ピラーはんだ/ CuSnピラー/ AuSn/ SnAg

パッケージング・組立