応用分野 - 量子技術

量子技術
ファウンドリサービス

株式会社ナノシステムズJPでは、量子ハードウェアグループが調達に苦労するプロセス - 深掘りシリコンエッチング、ガラス貫通ビア、インジウム・金バンピング、UHV対応AuSn、ウェーハ接合、溶融石英光学、イオン注入 - が、専任プロジェクトマネージャーのもとで1つのフローとして、1枚から走ります。このページでは5つの量子プラットフォームを、それを作るサービスと、最もご注文の多い4つのパッケージ提供にマッピングします。

詳細仕様がある場合はテクニカルRFQフォームへ →

イオントラップ中性原子 フォトニック量子計算スピン & カラーセンター 量子センシング1枚から対応 極低温からUHVまで研究室フレンドリーなロット
5
1つのプロセスフローにマッピングされた量子プラットフォーム
Ø20µm
標準ガラスビア - 歩留まり>95%・ボイドフリーCu
50:1
トレンチ・キャビティ向けDRIEアスペクト比
1枚〜
研究グループのための最低ロットなし
プラットフォーム 01
イオントラップ - 表面トラップチップ

表面トラップが求めるのは、厚い金電極、光学アクセスのための深いトレンチ、ワイヤボンドがレーザーパスを塞がない裏面配線、そしてビーム用貫通孔です。それは当社のDRIE(Bosch・50:1)TGV厚膜AuめっきTi/Auパターニングを1つのプログラムにしたものであり、真空槽内のダイアタッチにはフラックスフリー・低アウトガスのAuSnが控えます。

🕸️

電極と配線

厚膜電解めっきAu電極層、Ti/Auリフトオフパターニング、裏面再配線、両面リソグラフィ。制御配線が光学面を塞ぎません。

厚膜Au電極裏面配線両面リソグラフィ
🕳️

トレンチと貫通孔

50:1アスペクト比のDRIEトレンチ・ローディングスロット、そしてSiまたは未充填ガラス貫通ビアによる基板貫通レーザーアクセス孔。

DRIE 50:1レーザーアクセス孔未充填TGV
🔩

真空内実装メタル

キャリア上のフラックスフリーダイアタッチのためのAuSn多層スタック。フラックスなし、有機物なし、トラップの隣でアウトガスするものは何もありません。

AuSn多層有機物ゼロ低アウトガス
プラットフォーム 02
中性原子 - セル・窓・アパーチャ

蒸気セル・真空セルはガラスとシリコンのスタックです:エッチングしたSiボディ、ガラスへの陽極接合・接着接合、そして透明基板上のパターニング金属。当社の溶融石英プログラムとサファイア上のミクロンスケール金属メッシュは、名前こそ違え、すでに中性原子光学部品です。

🫙

セルボディ

ガラス窓に接合したシリコンDRIEキャビティ。陽極・接着・共晶、お客様のスタックに合わせて。封止済みボディまたは開放ハーフとして納品します。

DRIEキャビティ陽極 · 接着 · 共晶ボディまたはハーフ
🪟

パターニング済みウィンドウ

溶融石英・サファイア上にパターニングしたTi/Au・アパーチャ・微細金属メッシュ。光学が要求すれば両面で。

Ti/Au on 石英微細メッシュ両面パターニング
🎯

アパーチャとマスク

透明基板上のリフトオフによるミクロンスケールアパーチャとビーム定義フィーチャー。表裏で位置整合させて。

µmアパーチャ表裏アライメントリフトオフ
プラットフォーム 03
フォトニック & 量子通信

導波路時代の量子ハードウェアは当社のフォトニクススタックの上を走ります:SiNと低温誘電体・ARスタック・エッジ結合とVグルーブCMP平坦化、そしてドライバ・検出器統合のためのガラスTGVインターポーザ。いずれもここ数か月、実際にお問い合わせをいただいている領域です。

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導波路セーフ処理

フォトニクスに安全な温度でのSiN・SiO₂成膜、0.5nm Ra未満のCMP平坦化、ファセットを尊重するダイシング。

SiN低温成膜CMP <0.5nm Raファセット保護
🧩

インターポーザとビア

極低温ドライバ・検出器・ファンアウトのためのガラスTGVインターポーザ。標準Ø20µmビア、ボイドフリーCu充填。

ガラスTGVØ20µm標準ボイドフリーCu
🔌

結合フィーチャー

お客様の結合設計に合わせてエッチング・ダイシングした、エッジ結合ノッチ・Vグルーブ・ファイバ取付形状。

エッジ結合Vグルーブファイバアレイ
プラットフォーム 04
スピン量子ビット & カラーセンター

欠陥エンジニアリングとは、イオン注入 + 活性化アニール + 微細リソグラフィを、SiとSiCの上で行うことです。当社のSiC基板経験とNi系リフトオフコンタクトの実績はそのまま活きます。ダイヤモンドプログラムはお問い合わせごとに協議します。

🎯

注入と活性化

お客様の欠陥レシピに合わせた種とドーズのイオン注入、続いて同一フロー内でのRTAまたは炉活性化。

種 · ドーズ指定RTA / 炉活性化同一フロー
💠

SiCプロセッシング

SiC基板の調達と加工、リフトオフによるコンタクト、アニール、そしてワイドバンドギャップウェーハが要求するハンドリング。

SiC調達 + 加工リフトオフコンタクトWBGハンドリング
🔬

位置基準フィーチャー

単一欠陥を再び見つけられるように、ステッパー精度のアライメントマーク・メサ・コンタクトパターンを。

アライメントマークステッパー精度単一欠陥の再発見
プラットフォーム 05
量子センシング - OPMとチップスケール時計

実量産に最も近く、既存ファウンドリの手薄なセグメントです。MEMSアルカリ蒸気セルはDRIEキャビティ + 陽極または接着ガラス接合 + 窓であり、当社のマイクロ流体・接合ラインがすでに走らせているフローです。専用ページ:MEMS蒸気セル

🧲

蒸気セルボディ

ガラスに接合したSiキャビティボディ。開放ハーフまたは未充填の接合済みボディとして納品。アルカリ充填は応相談です。

未充填ボディ開放ハーフ対応充填は応相談
🪟

光学ウィンドウ

研磨・パターニング済みウィンドウ。アパーチャとコーティングは溶融石英プログラムを通じて調整します。

研磨ウィンドウアパーチャコーティング調整
📦

量産へ向けて

単一試作ペアから固定レシピでのリピートロットまで。OPM・時計プログラムが必要とするスケーリングパスです。

1ペアから固定レシピリピートロット
見取り図
5つのプラットフォーム、1つのフロー、4つの提供

上のすべてのプラットフォームは同じ共有プロセスコアへ流れ込み、そこから下の4つのパッケージ提供が生まれます。

イオントラップ中性原子フォトニック量子スピン・カラーセンター量子センシング1つのプロセスフローDRIE 50:1TGV Ø20µm・>95%リソグラフィPVD・めっき接合 ×6CMP <0.5nm Ra注入 + RTAダイシング専任プロジェクトマネージャー・1枚から極低温・UHVメタルAuSn・Ti/Pd/Au・リング光学アクセス部品窓・メッシュ・貫通孔MEMS蒸気セル未充填ボディTFOI基板水晶on-Si・LNOI+ TGV / TSV インターポーザ
5プラットフォーム → 共有プロセスコア → 4つのパッケージ提供
パッケージ提供
量子グループが最も注文する4つ

それぞれが仕様付きの専用ページを持ち、いずれも1枚から注文できます。すべてが共有のリソグラフィ・成膜・計測のもと、1つのプログラムで走るため、混合注文も一貫します。

01
AuSn · Ti/Pd/Au · シールリング

フラックスフリーAuSn多層PVD、Ti/Pd/Au・Ti/Pt/Auスタック、リフトオフパターニング、真空内・クライオスタット実装のための低アウトガスシールリング。

02
ウィンドウ · アパーチャ · 貫通孔

両面パターニングウィンドウ、サファイア・溶融石英上の金属アパーチャとメッシュ、ガラス貫通孔、接合済みセルボディ。

03
DRIEキャビティ · 陽極接合 · 窓

OPM磁力計・チップスケール時計のためのアルカリ蒸気セルボディ。未充填で納品、ゲッター・充填フィーチャーはお客様の設計に従って。

04
水晶on-Si · LNOI · 圧電薄膜

3〜5枚の試作ロットで提供するエンジニアド基板:570°C未満の水晶オンシリコン、ニオブ酸リチウムオンインシュレータ、キャリア上の圧電薄膜。

なぜ株式会社ナノシステムズJPか
量子プログラムが実際に買う形で
01

単一ウェーハがネイティブ

研究ロットは特別扱いではなく標準提供です。1枚で試作し、発表し、同じレシピでリピート。

02

厄介なプロセスを、まとめて

深掘りエッチング・ガラスビア・インジウム・AuSn・接合・注入。通常5つの別見積になる工程が、ここでは1つのプログラムです。

03

極低温とUHVのリテラシー

フラックスフリーメタラジー、低アウトガスの選択、リフロー炉ではなく真空槽とクライオスタットのための材料選定。

04

透明基板への習熟

溶融石英・サファイア・ガラスはこのフローの第一級基板です。パターニング・穴あけ・接合・ダイシングを日常的に。

05

1人のPM、1本のスレッド

プラットフォーム混合プログラムも、RFQから出荷まで専任プロジェクトマネージャーのもとで一貫します。

06

実ページの上の仕様

上のすべての提供は完全な仕様ページへリンクしています。設計レビューは形容詞ではなく数値から始まります。

フルプロセスメニュー:能力一覧
これらのプラットフォームを支えるプロセスの完全なリスト - リソグラフィからダイシングまで - を1ページで。

能力一覧 →

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基板材料・サイズ  ·  対象プロセス  ·  数量  ·  スケジュール  ·  設計ファイル(初回は不要)
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サービス & 産業分野
⚙️ 技術能力 概要
基板
🔷 基板・ウェーハSi, SiC, GaN, ガラス, サファイア 🔬 溶融石英ウェーハ石英 · ホウケイ酸ガラス · 低CTE 🟣 PIフィルム・SUSセンサーロールツーロール · センサーパターニング
フロントエンド
🎭 マスク製造GDSからクロームマスク, DRC 📷 フォトリソグラフィEビーム 20nm〜500×600mm 🔬 ナノインプリントUV・熱インプリント 🫧 薄膜成膜PVD, CVD, ALD, MBE 🖥 TFT・バックプレーンIGZO · ガラス基板 · ディスプレイ ⬆️ リフトオフ金属パターン · シャドウマスク ⚡ 電気めっきCu TSV充填, DPC, LIGA 🌊 エッチングICP-RIE, DRIE >50:1 🔥 アニールN₂ / H₂ / 真空 / RTA ⚛️ Ion ImplantationB / P / As / Al / N implant 🔄 CMP & GrindingCu CMP, 50 µm thinning 💎 DicingBlade, stealth laser 🧪 Wafer CleaningRCA, plasma, megasonic
アドバンスドパッケージング
🔗 Wafer BondingHybrid, eutectic, fusion 📌 TSV FabricationHigh AR, void-free Cu fill 👁️ TSV RevealBackgrind → etch → CMP 🪟 TGV FabricationThrough-glass via 🔀 RDL FabricationBCB / PBO / PI + damascene 📦 Packaging & AssemblyWire bond, flip-chip 📚 3D / 2.5D PackagingTSV + RDL + UBM + C4 🥇 AuSn BumpPVD lift-off, fluxless 🥈 Indium BumpEvap lift-off · cryo/quantum 🧱 UBM DepositionTi/Pt/Au · adhesion-barrier-Au 🪙 Gold BumpEvap & plated · Au-Au TC 🔥 AuGe / AuSi356/363°C eutectic die attach 🛰️ High-Pb Bumps95Pb5Sn · hi-rel C4 ⚗️ SLID / TLPCu/Sn · Au/In · Ag/In 🔒 Al-Ge Sealing424°C · CMOS-friendly MEMS ⚡ Ohmic ContactsGaAs · GaN · RTA + TLM 🧊 Cryo / UHV MetalAuSn · Ti/Pd/Au · rings 🪟 Optical AccessWindows · meshes · holes 🫙 Vapor CellsDRIE + bond · unfilled 💠 TFOI WafersQuartz-on-Si · LNOI 🧬 Biochip & MicrofluidicsGlass 500×600 mm, NIL 🔆 SiPho PackagingTSV · RDL · UBM · C4 for PIC
産業分野
🤖 AI & HPC PackagingCoWoS-style, 2.5D / 3D 💡 Silicon PhotonicsSOI · AuSn · TSV interposer 🚗 AutomotiveMEMS sensors, SiC power 🧬 Life SciencesLab-on-chip, biosensors 🔭 All Industries → Request a Quote →